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MTB2N60E spec: TMOS E-FET high energy power FET
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MTB2N60E spec: TMOS E-FET high energy power FET
Fabricante : Motorola
Embalagem : DPAK
Pins : 4
Temperature : Min -55 °C | Max 150 °C
Tamanho : 298 KB
Aplicativo : TMOS E-FET high energy power FET